PG3VNF シリーズ NVMe M.2 2280 PCIe Gen4x4 SSD 商品特徴

■ 想像の先に行くパフォーマンスが登場、次世代の幕開けです

最高クラスのパフォーマンスがさらに向上しました。
PG2VNよりもさらに速くなったPG3VNFには、最新のテクノロジー(コントローラ/インターフェース/3D NANDフラッシュ)が搭載されています。
PG3VNFは現行のNVMe帯域幅を最大限利用することで、想像を超えたシステムパフォーマンスを実現します。容量ラインアップは500/1TB/2TBの3ラインアップで、シリーズ最大で3600TBWという信頼性を備えています。

*21.10.13:文章内のTBWの表記を、1200 から 3600 に修正しました。

■ 進化したスピードパフォーマンス

PG3VNFのシーケンシャルリード/ライトパフォーマンスは最大5,000 / 4,400/sec。PG2VNよりも最大で1.4倍高速になりました。
最新のコントローラ Phison electronics 製 PCIe Gen4x4 コントローラ PS5016-E16とBiCS4フラッシュ、キャッシュに高速なDDR4メモリを搭載し、より高いパフォーマンスを発揮し、消費電力は従来のHDDよりもはるかに少なく新しいプラットフォームに最適なソリューションです。

■ 次世代コントローラ PS5016-E16

モンスタースペックを発揮するコンポーネントの心臓部は、PCI-E Gen.4 x4(NVMe 1.3)に対応したPhison Electronics製PS5016-E16。
2019年1月CESで発表された世界初のPCIe Gen.4x4に対応したコントローラです。プロセスルールは28nm。対応NANDフラッシュはBiCSフラッシュ(3D NAND TLC)。
ハイパフォーマンスを支えるサポート機能として、エラー訂正符号(ECC)には、第4世代LDPC ECC (Low Density Parity Check)。ウェアレベリング(静的・動的)やオーバープロビジョン、Predict&Fetchに対応しています。

■ 次世代フラッシュメモリ BiCS4™

容量密度を上げるため96層に積層を増やし、回路とarchitectureを最適化することでBiCS3™ (533MT/s)と比較して1.5倍高速化(800MT/s)を実現しています。
PG3VNFは各容量ともにBiCS4フラッシュを4chip装備(両面実装)しています。

■ ヒートシンクレスモデル

PCIe Gen.4x4を採用したM/B製品の多くは、M.2ソケット向けに放熱面積の広いヒートシンクを採用しているため、PG3VNF(PS5016-E16採用)モデルは、放熱用ヒートシンクを採用していません。
M/B側で放熱面積を広く用意しているヒートシンクをご利用いただくことで、デザイン性を損なうことなくCPUクーラーやチップセットクーラーから発する空冷却の効果で最適なパフォーマンスを発揮します。
M.2-2280サイズ PCIe Gen.3世代以前で設計されたヒートシンクや空冷ファン付ヒートシンクでは、面積とパワーが不足し放熱効率が落ちることがありますので、ご注意ください。

参考資料:https://www.cfd.co.jp/uploads/pciegen3heatsink_201906.pdf

*ヒートシンクの放熱を最大限発揮するために、空冷却をお勧めします。(例 : CPUファンやチップセットファン、VGAファンのそばなど)


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